Samsung Electronics ha annunciato oggi l’inizio della produzione di massa della sua innovativa memoria flash V-NAND QLC di 9a generazione da 1 terabit. Questo traguardo segna un importante passo avanti nel settore dello storage; apre nuove possibilità per i dispositivi del futuro.
La nuova tecnologia combina anche diverse innovazioni all’avanguardia; tra cui l’esclusiva tecnica di incisione dei fori dei canali che permette di raggiungere il più alto numero di strati mai visto prima nell’industria, grazie a una struttura a doppio stack. Samsung si conferma così leader indiscusso nel mercato delle memorie flash NAND ad alte prestazioni e capacità.
Caratteristiche tecniche e vantaggi della nuova V-NAND
La nuova generazione di V-NAND di Samsung integra una serie di tecnologie all’avanguardia; un salto di qualità rispetto alle versioni precedenti. Una delle principali innovazioni è la tecnologia di incisione a foro di canale; consente di raggiungere il più alto numero di strati nel settore grazie a una struttura a doppio stack. Questa tecnologia, unita all’esperienza acquisita con la produzione di V-NAND a celle a tre livelli (TLC), ha permesso di ottimizzare l’area delle celle e dei circuiti periferici, aumentando la densità di bit di circa l’86%; consente di immagazzinare molti più dati nello stesso spazio fisico. Le prestazioni di scrittura sono raddoppiate, mentre la velocità di input/output dei dati è migliorata del 60%.
Tutto ciò è reso possibile dall’avanzata tecnologia di programmazione predittiva; anticipa e controlla i cambiamenti di stato delle celle per minimizzare le operazioni non necessarie.
Anche l’efficienza energetica ha fatto passi da gigante; il consumo di energia per la lettura e la scrittura dei dati è diminuito rispettivamente del 30% e del 50%. Questi risultati sono stati ottenuti grazie all’impiego della tecnologia Low-Power Design; riduce la tensione necessaria per pilotare le celle NAND e minimizza il consumo energetico rilevando solo le linee di bit strettamente necessarie.
Applicazioni e impatto sul mercato
Samsung prevede di espandere rapidamente le applicazioni della sua nuova V-NAND QLC di 9a generazione. I primi prodotti a beneficiarne saranno quelli consumer a marchio Samsung; seguiti da soluzioni di storage mobile UFS, PC e server SSD .
L’azienda coreana consolida ulteriormente la propria leadership nel segmento delle memorie flash NAND ad alte prestazioni; in un momento in cui la domanda di soluzioni di storage per applicazioni di intelligenza artificiale è in forte crescita.
La disponibilità di memorie QLC e TLC di 9a generazione permetterà a Samsung di offrire una gamma completa di SSD avanzati. Il colosso tecnologico coreano si posiziona in modo ottimale per cavalcare l’onda della rivoluzione dell’intelligenza artificiale che sta trasformando il mercato dello storage privato e soprattutto enterprise.
L’azienda prevede che la QLC NAND rappresenterà una quota significativa delle spedizioni globali di NAND nei prossimi anni.
V-NAND QLC di 9a generazione: conclusioni
L’introduzione della V-NAND QLC di 9a generazione promette di portare notevoli benefici in termini di capacità, prestazioni ed efficienza energetica negli storage SSD e UFS del futuro. Il timing è perfetto, considerando la crescente domanda di soluzioni di storage ad alte prestazioni per applicazioni di intelligenza artificiale e analisi.
La sfida per Samsung sarà ora quella di scalare rapidamente la produzione e integrare efficacemente questa tecnologia nei suoi prodotti commerciali. Se l’azienda riuscirà nell’intento, potrebbe consolidare ulteriormente la sua posizione di leader nel settore delle memorie flash; si apre la strada a una nuova generazione di dispositivi di storage più capienti, veloci ed efficienti.
