Samsung è uno dei principali produttori al mondo di semiconduttori, tra cui memorie DRAM e NAND flash e fornisce componenti chiave per molti dispositivi elettronici. Qualche settimana fa Samsung si è fatta notare per essere stata la prima azienza al mondo a sviluppare i moduli DRAM GDDR7 che saranno utilizzati principalmente dalle GPU per gaming del futuro. Il 1 Settembre Samsung ha annunciato di aver sviluppato una DRAM DDR5 32GB utilizzando la tecnologia di processo di produzione a 12 nm .
DRAM DDR5 32GB
Con questo annuncio Samsung dimostra la sua leadership nello sviluppo di memorie DRAM all’avanguardia. Un fattore competitivo chiave nel mercato dei semiconduttori, dove Samsung compete con colossi come Micron e SK Hynix.
Dopo aver sviluppato il suo primo modulo DRAM da 64 kilobit (Kb) nel 1983, Samsung è riuscita a migliorare la capacità del suo DRAM di un fattore di 500.000 negli ultimi 40 anni.
Questa notizia è importante per diversi motivi
- Dimensioni di memoria record: una DRAM da 32 GB è attualmente la più grande mai realizzata nel formato DDR5. Rappresenta un notevole aumento di capacità rispetto alle DRAM DDR5 da 16 o 24 GB attualmente in commercio.
- Avanzamento tecnologico: produrre una memoria così grande utilizzando un processo a 12 nm dimostra i progressi compiuti da Samsung nello sviluppo di memorie DRAM sempre più dense ed efficienti. Si tratta di un notevole balzo in avanti rispetto al processo a 18 nm utilizzato in precedenza.
- Densità di memoria aumentata: questa DRAM ad alta densità consentirà di realizzare moduli di memoria DDR5 con maggiore capacità (fino a 1 TB), mantenendo alte prestazioni. Ciò permetterà di soddisfare la crescente richiesta di memoria ad alte prestazioni da parte di computer, server, dispositivi smart e server di intelligenza artificiale.
- Consumi ridotti : la riduzione del processo a 12 nm consente consumi di energia più bassi (di circa il 10% rispetto i moduli da 16GB), possibilità di overclocking maggiori e quindi anche prestazioni migliori. Questa svolta tecnologica rende il prodotto la soluzione ottimale per le aziende che danno importanza all’efficienza energetica, come i data center e i Cloud center.
“Il componente con capacità aumentata DRAM DDR5 32GB consentirà la creazione di moduli DRAM e memory stick da 1 terabyte e semplificherà la produzione di moduli da 128 gigabyte” ha dichiarato Samsung.
“Con lo sviluppo di DRAM da 32 Gbit a 12 nm, … possiamo soddisfare la crescente domanda di DRAM ad alta capacità nell’era dell’IA e dei big data“, ha affermato SangJoon Hwang, responsabile dei prodotti e della tecnologia DRAM presso Samsung Electronics.
Inoltre in precedenza, i moduli DDR5 da 128 GB di DRAM prodotti con DRAM da 16 Gbit richiedevano la tecnologia di processo TSV. TSV sta per “Through-Silicon Via” ed è una tecnologia complessa utilizzata nell’assemblaggio di circuiti integrati tridimensionali (3D).
Questa tecnologia consente la creazione di circuiti integrati in cui diversi strati di silicio sono impilati verticalmente anziché orizzontalmente su un singolo piano per migliorare prestazioni e l’efficienza dei circuiti integrati.
Samsung ha affermato che il modulo da 128 GB ora può essere prodotto senza utilizzare la tecnologia TSV, riducendo i costi produttivi e la complessità associata alla tecnologia TSV.
La produzione in serie del nuovo DRAM DDR5 da 32 Gbit a 12 nm è prevista per la fine del 2023.
