Durante l’Open Compute Project Global Summit 2025 a San Jose, Samsung Electronics poche ore fa ha svelato dettagli tecnici sulla sua settima generazione di memoria ad alta larghezza di banda HBM4E, programmata per la produzione di massa nel 2027.
Samsung ha annunciato specifiche che superano ogni precedente record nel settore; una larghezza di banda di 3,25TB/s, ottenuta attraverso velocità per pin superiori a 13Gbps. Un balzo di 2,5 volte rispetto all’attuale generazione HBM3E. L’annuncio di Samsung arriva in un momento cruciale per l’industria dei semiconduttori; la domanda di memoria ad alte prestazioni per applicazioni di intelligenza artificiale accelera esponenzialmente.
NVIDIA, principale acquirente di memoria HBM per le sue GPU, ha chiesto ai suoi fornitori – Samsung, SK hynix e Micron – di superare la soglia dei 10 Gbps per pin per il suo prossimo acceleratore AI, il Vera Rubin. Samsung ha risposto non solo adeguandosi, ma spingendosi oltre.
Questa promessa posiziona Samsung come potenziale leader nella corsa tecnologica che definirà le capacità dei sistemi AI per i prossimi anni. L’azienda coreana, dopo aver inizialmente mostrato un certo ritardo nella produzione di memorie HBM3E rispetto ai concorrenti, ora dimostra una determinazione netta a riconquistare posizioni dominanti.
Specifiche tecniche di HBM4E
Le specifiche tecniche dell’HBM4E permettono di comprendere l’impatto che avranno sul settore. La memoria presenterà 2.048 pin per il trasferimento dati, ciascuno capace di operare a velocità superiori a 13Gbps. Questa configurazione permette di raggiungere la straordinaria larghezza di banda di 3,25TB/s.
L’attuale generazione HBM3E offre una larghezza di banda notevolmente inferiore; questo rende il salto tecnologico particolarmente rilevante per applicazioni che richiedono elaborazione intensiva di dati. Un aspetto altrettanto cruciale riguarda l’efficienza energetica; Samsung dichiara che HBM4E consumerà meno della metà dell’energia richiesta da HBM3E per bit.
Questo miglioramento non è secondario; soprattutto se consideriamo che l’efficienza energetica è diventata un fattore critico nei data center e nei sistemi di calcolo ad alte prestazioni. È interessante notare come Samsung abbia modificato le sue previsioni nel corso dell’anno; inizialmente, all’ISSCC 2025, l’azienda aveva indicato una larghezza di banda di 2,5TB/s con velocità per pin di 10Gbps. La revisione verso l’alto di queste specifiche riflette sia le capacità tecniche dimostrate dai team di ingegneri Samsung, sia le pressioni esercitate da NVIDIA.
Competizione nel settore HBMe
Il settore delle memorie HBMe sta vivendo una fase di forte competizione; i tre principali protagonisti – Samsung, SK Hynix e Micron – si contendono posizioni di leadership in un mercato in fortissima espansione. Secondo le specifiche JEDEC, l’organismo internazionale di standardizzazione per i semiconduttori, la larghezza di banda standard per HBM4 dovrebbe essere di 8Gbps per pin, per un totale di 2TB/s.
Tuttavia, NVIDIA ha richiesto esplicitamente velocità superiori a 10Gbps per pin ai suoi fornitori; questo a spinto l’intero settore a superare gli standard stabiliti da JEDEC. In risposta a questa richiesta, inizialmente Samsung aveva aumentato la velocità dei pin HBM4 a 11Gbps; con SK Hynix che ha successivamente confermato di aver raggiunto performance simili. Micron, inizialmente considerato in difficoltà nel migliorare la larghezza di banda, ha recentemente rassicurato il mercato annunciando di aver consegnato campioni HBM4 con velocità di 11Gbps a NVIDIA. Ed ora Samsung è pronta con una tecnologia a 13 Gbps.
Questa dinamica competitiva ha creato un ambiente in cui l’innovazione procede a un ritmo accelerato; ogni azienda cerca non solo di soddisfare le richieste attuali ma di anticipare le esigenze future. L’annuncio di Samsung posiziona ora l’azienda come la prima tra i tre giganti della memoria a presentare pubblicamente una larghezza di banda superiore a 3TB/s.
Questa competizione non riguarda solo le specifiche tecniche ma anche le quote di mercato in un settore dove i contratti con i principali produttori di chip AI come NVIDIA e AMD possono determinare il successo finanziario di un’intera divisione aziendale per diversi anni.
Samsung e HBM4e : conclusioni
Le specifiche tecniche di HBM4E presentate da Samsung in queste ore, stabiliscono nuovi standard di performance. La capacità di poter annunciare specifiche per una tecnologia che entrerà in produzione solo tra due anni dimostra una sicurezza nelle proprie capacità di ricerca e sviluppo.
Nel frattempo, NVIDIA continuerà a fare da arbitro, spingendo i fornitori a superare i propri limiti. Non si tratta più di chi segue lo standard, ma di chi riesce a definire il prossimo nel più breve tempo possibile. Samsung ha appena alzato i limiti a un livello che sembrava irraggiungibile fino a pochi mesi fa. Sarà interessante osservare come gli altri attori del settore risponderanno alla sfida lanciata da Samsung.
Parallelamente allo sviluppo delle memorie, Samsung sta anche facendo progressi nelle sue tecnologie foundry. Durante lo stesso evento, l’azienda ha accennato allo stato di avanzamento del suo processo a 2 nanometri (SF2); programmato per la produzione di massa entro la fine dell’anno.
Samsung ha inoltre dichiarato la sua collaborazione in corso con Rebellions; una startup coreana specializzata in chip AI. Rebellions sta sviluppando REBEL-CPU; combina ARM Neoverse v3 CPU con il suo next-generation chipset REBEL-Quad. L’unità di elaborazione neurale (NPU) di REBEL-Quad e la CPU aggiunta saranno prodotte rispettivamente utilizzando i processi a 4nm (SF4X) e 2nm di Samsung.
